국립창원대학교 G-램프(LAMP)사업단

설치위치

• 공동실험실습관(7호관) 3층 클린룸

장비스펙

• 최대 8인치 실리콘 웨이퍼(6인치, 4인치, 조각 실리콘 웨이퍼), 기판히터 최대온도 800℃(기 판온도 기준), 스퍼터링 캐소드 3set, 타겟 사용 효율 55% 이상

장비소개

• 진공 상태에서 고주파 전원을 이용하여 물질 표면에서 원자를 떼어내 기판 위에 얇은 막 형태로 증착시키는 장비

활용분야

• 반도체 산업, 디스플레이 산업, 광학 산업, 신소재 연구, 태양전지, 센서, 의료 분야 등에서 박막 증착 및 제작, 연구·개발

설치위치

• 공동실험실습관(7호관) 3층 클린룸

장비스펙

• 유도 결합 플라즈마(ICP), 웨이퍼 크기 6인치, 온도 제어 –10~200℃, 6인치 웨이퍼용 실린더 타입, 강제 공기 또는 수냉식 냉각

장비소개

• 반도체 웨이퍼 위에 형성된 회로 패턴을 따라 원하지 않는 박막 부분을 선택적으로 제거하여 회로를 구현하는 장비

활용분야

• 반도체 산업, 디스플레이 산업, MEMS(초소형 정밀 시스템) 분야, LED 산업의 식각 공정에 활용

설치위치

• 공동실험실습관(7호관) 3층 클린룸

장비스펙

• 광원 파장 범위 350~450㎚, 최대 빔 사이즈 6×6인치, 듀얼 CCD 줌 현미경
• 해상도: 진공 컨택 2µm 이하(PR 두께 1µm 기준), 하드 컨택 3µm 이하, 소프트 컨택 5µm 이하

장비소개

• 회로 패턴의 원판인 포토마스크를 이용하여 웨이퍼 위에 회로 패턴을 인쇄하는 장비

활용분야

• 반도체 산업, 디스플레이 산업, MEMS(초소형 정밀 시스템) 분야, PCB(인쇄회로기판) 제조,연구 개발 분야 등의 정밀패턴 형성에 활용